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　　一、TCO的定义

　　透明导电氧化物薄膜主要包括In，Sb，Zn和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料，具有宽禁带、可见光谱区光透射率高和电阻率低等共同光电特性，广泛地应用于太阳能电池、平面显示、特殊功能窗口涂层及其他光电器件领域。透明导电薄膜以掺杂氧化铟（ITO）为代表，掺铝的ZnO薄膜（AZO）被认为是最有发展潜力的材料之一。同时，人们还开发了Zn2SnO4、In4Sn3O12、MgIn2O4、CdIn2O4等多元透明氧化物薄膜材料。

　　二、TCO的特性

　　TCO薄膜为晶粒尺寸数百纳米的多晶层，晶粒取向单一。目前研究较多的是ITO、FTO（SnO2：F）和AZO，这些氧化物均为重掺杂、高简半导体，半导化机理为化学计量比偏移和掺杂，其禁带宽度一般大于3eV，并随组分不同而变化。

　　三、TCO的分类

　　1、SnO2基薄膜：现在得到广泛应用的是掺杂的SnO2薄膜，掺杂效果最好的是Sb和F（掺Sb的SnO2薄膜简称ATO，掺F的SnO2薄膜简称FTO）。

　　2、In2O3基薄膜：掺杂氧化锡的In2O3薄膜（ITO）仍然是目前研究和应用最广泛的透明导电膜。众多的文献资料称，氧化锡掺杂量在10%时，ITO薄膜具有最优的光电性能。除此以外，在In2O3中掺杂进其他材料，例如Zn、Mo等，也可获得其他的性能。

　　3、ZnO基薄膜：掺杂Al的ZnO薄膜（AZO）是目前性能最好的氧化锌系薄膜。最近几年，ZnO：Ga薄膜也逐渐得到了重视，并获得了较低的电导率。

　　四、我公司可为您提供的材料

　　作为镀膜材料的专业供应厂商，我公司可以为您提供多种制作TCO薄膜需要的靶材。如ZnO、In2O3，SnO2、高纯钼靶材等，纯度在99.99%以上。除此之外，我们还可以为您提供掺杂靶材ITO和AZO，纯度在99.99%以上。对于制作其他薄膜的客户，我们可以接受您的定制，在公司技术条件允许的情况下，为您制作特殊的掺杂材料。