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CVD化学气相沉积法反应步骤可区分为五个步骤:

(1)不同成分气相前置反应物由主流气体进来,以扩散机制传输到基板表面.理想状况下,前置物在基板上的浓度是零,亦即在基板上立刻反应,实际上并非如此.

(2)前置反应物吸附在基板上,此时仍容许该前置物在基板上进行有限程度的表面横向移动.

(3)前置物在基板上进行化学反应,产生沉积物的化学分子,然后经积聚成核、迁移、成长等步骤,最后联合一连续的膜.

(4)把多余的前置物以及未成核的气体生成物去吸附.

(5)被去吸附的气体,以扩散机制传输到主流气相,并经传送排出.