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化学气相蒸镀乃使用一种或多种气体,在一加热的固体基材上发生化学反应,并镀上一层固态薄膜.

优点: (1)真空度要求不高,甚至可以不需要真空,例如热喷覆;

(2)沉积速率快,大气CVD可以达到1μm/min;

(3)与PVD比较的话.化学量论组成或合金的镀膜较容易达成;

(4)镀膜的成份多样化,如金属、非金属、半导体、光电材料、钻石薄膜;

(5)可以在复杂形状的基材镀膜,甚至渗入多孔的陶瓷;

(6)厚度的均匀性良好,低压CVD甚至可以同时镀数十芯片.

缺点: (1)热力学及化学反应机制不易了解或不甚了解;

(2)需要在高温下进行,有些基材不能承受,甚至和镀膜产生作用;

(3)反应气体可能具腐蚀性、毒性或爆炸性,处理时需小心;

(4)反应生成物可能残余在镀膜上,成为杂质;

(5)基材的遮蔽很难.